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东芝

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。


东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现高散热和小型化

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东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。


Toshiba Materials对第二座生产设施的重大投资将提高氮化硅球的产量

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Toshiba Materials Co., Ltd. 今天宣布对新生产设施进行重大投资,这将显著提高氮化硅球的产能。该工厂将建在该公司位于日本九州北部的大分厂区(Oita Operations),项目总投资70亿日元(约合5000万美元),预计将于2026年1月投产。