<strong><font color="#FF0000">作者：JPaul Carpenter</font> </strong>

本周我想进一步探究可编程逻辑（FPGA）与硬核处理器（HPS）之间互联的结构。我发现了三种主要方式，它们是如何映射并处理通信的，哪些组件需要管控时序并且有访问权限。

<strong>技巧一：使用LDO稳压器，从5V电源向3.3V系统供电</strong>

标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地转换为 3.3V，就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 （Low Dropout， LDO）稳压器，是此类应用的理想选择。图 1-1 是基本LDO 系统的框图，标注了相应的电流。从图中可以看出， LDO 由四个主要部分组成：

1. 导通晶体管

2. 带隙参考源

3. 运算放大器

4. 反馈电阻分压器

在选择 LDO 时，重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数，将会得到最优的设计。

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<strong>本文将要解决的两个问题</strong>

●如何依据 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 标准的规定，对集成电路模拟输入和输出进行高压瞬变保护；

●如何设计系统输入输出保护电路。

<strong>EMC 标准</strong>

IEC 61000 是有关 EMC 鲁棒性的系统级标准。该标准中涉及高压瞬变的三个部分为IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5。这些是针对静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和浪涌的系统级标准。这些标准定义了在施加这些瞬变影响的情况下用于评估电子电气设备抗扰度的波形、测试方法和测试级别。

<strong>DC-DC PCB布板技巧（1）</strong>

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对应MCU（STM32F103XX）、WiFi（AP6212、AP6XXX）或USB HUB(FE1.1S、GL850G)一般需外部提供时钟信号，需要外挂一颗晶振，常有客户问到，如何结合晶振的负载电容计算外匹配电容容值以及在晶振振荡电路设计时需注意哪些事项，所以小编对此做一个归纳总结，如有不正确之处，欢迎指正。

</strong>（1）晶振负载电容定义</strong>

晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容，是晶振要正常震荡所需要的电容。如果从石英晶体插脚两端向振荡电路方向看进去的全部有效电容为该振荡电路加给石英晶体的负载电容。石英晶体的负载电容的定义如下式：

将PCB原理图传递给版图(layout)设计时需要考虑的六件事。提到的所有例子都是用Multisim设计环境开发的，不过在使用不同的EDA工具时相同的概念同样适用哦!

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<strong>初始原理图传递</strong>

按照传输线理论，当负载与输出不匹配时，信号的传输为非理想行波状态（驻波或反射），会出现波形失真或衰减。阻抗匹配则传输功率大，对于一个电源来讲，当它的内阻等于负载时，输出功率最大，此时阻抗匹配。最大功率传输定理，如果是高频的话，就是无反射波。对于普通的宽频放大器，输出阻抗50Q，功率传输电路中需要考虑阻抗匹配，可是如果信号波长远远大于电缆长度，即电缆长度可以忽略的话，就无须考惠阻抗匹配了。

阻抗匹配是指在能量传输时，要求负载阻抗要和传输线的特征阻抗相等，此时的传输不会产生反射，这表明所有能量都被负载吸收了；反之则在传输中有能量损失。

<strong><font color="#FF0000">作者： Mythink </font> </strong>

<strong>1、什么是噪声</strong>

日常我们说的噪声是——“除了我想听到的声音”以外的声音，就是噪声。比如我想听A君讲话，但是B和C君在旁边喋喋不休，他们两说的话是“我不想听到的声音”，那么他们两个的声音就是噪声。

而在电路中，噪声是指：“我不想得到的电压或电流波形”。

由于HDI板适应高集成度IC和高密度互联组装技术发展的要求，它把PCB制造技术推上了新的台阶，并成为PCB制造技术的最大热点之一!在各类PCB的CAM制作中，从事CAM制作的人员一致认为HDI手机板外形复杂，布线密度高，CAM制作难度较大，很难快速，准确地完成!面对客户高质量，快交货的要求，本人通过不断实践，总结，对此有一点心得，在此和各位CAM同行分享。

<strong>一.如何定义SMD是CAM制作的第一个难点</strong>

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随着各种电器和仪表设备的日渐丰富，对电源应用的灵活性提出了更高的要求。设计一款使用灵活、方便且价格相对便宜的通用电源，正越来越成为市场所需。现代单片机正朝着处理速度越来越快，外设资源越来越丰富，价格越来越便宜的方向发展，将单片机融入电源的设计中可以极大地提升电源的性能和灵活性。

通过对电源的编程，可以方便地实现图1所示的电压输出波形。其中，V1、V2、T1、T2、dv、dt都是可以通过编程来设定的。电压值的输出范围为0～16 V，最大输出电流为10 A。输出电压精度为0.1 V，电流精度为10 mA。电流的设定值指的是允许输出的最大电流，也可以被编程为与输出电压一样的波形。

<strong>四、两种差分TDR测试方法的对比</strong>

<strong>方法一：</strong>真差分测试法如图6所示：阶跃信号A和阶跃信号B是一对方向相反、幅度相等且同时发出的差分阶跃信号。

我们不但在差分TDR设备上看到差分的阶跃信号，而且当我们使用一台实时示波器来观测这对阶跃信号时可以证实这是真正的差分信号。

<strong>序言</strong>

当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1）。

<strong>一、引言</strong>

为了提高传输速率和传输距离，计算机行业和通信行业越来越多的采用高速串行总线。在芯片之间、板卡之间、背板和业务板之间实现高速互联。这些高速串行总线的速率从以往USB2.0、LVDS以及FireWire1394的几百Mbps到今天的PCI-Express G1/G2、SATA G1/G2 、XAUI/2XAUI、XFI的几个Gbps乃至10Gbps。计算机以及通信行业的PCB客户对差分走线的阻抗控制要求越来越高。这使PCB生产商以及高速PCB设计人员所面临的前所未有的挑战。本文结合PCB行业公认的测试标准IPCTM-650手册，重点讨论真差分TDR测试方法的原理以及特点。

<strong>二、IPC-TM-650手册以及PCB特征阻抗测试背景</strong>

任何器件选型，你都不可能对所有相关的技术指标面面俱到完全兼顾。对于ADC也是一样，但是到底有哪些指标值得你的关注？哪些指标不可忽略？选择转换器时，工程师通常只关注分辨率、信噪比（SNR）或者谐波。这些虽然很重要，但其他技术指标同样举足轻重。

ADI系统应用工程师Brad Brannon指出了9个常被忽略的ADC技术指标。一起来看看，你常忽略了哪些？

<strong>分辨率</strong>

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夜幕降临，工程师们的办公室里依旧灯火通明。每天除了加班，加班，还是加班！

有人说工程师有N种死法~

客户需求愁死你；
各种方案憋死你；
加班加点困死你；
电路设计画死你；
故障处理忙死你；
......

每天忙忙碌碌，一脸无措。此时，工程师们感叹：属于我的春天都去哪了？

今天，小编为你找到好的“诀窍”，让工程师们也能拥有春天！不信？那就让我们一起来见证奇迹的时刻吧~

在本辑的“秒懂时钟”文章中，我想继续上期关于时钟相位噪声测量中杂散的讨论。上次我们说道，时钟相位噪声图中的杂散信号是离散频率分量。杂散通常很少且幅度较低，但通常不受欢迎，因为它们会影响时钟的总抖动。

然而，杂散也可以用于时序设备的评估和表征。我们可以使用配置为低电平调制的实验室信号源将直接或间接的频率分量作为输入激励应用于时钟设备或系统。然后用频谱分析仪或相位噪声分析仪测量得到的输出时钟杂散。

在这篇文章中，我将简要回顾一下适合的信号调制选项。接下来我将讨论一些值得注意的测量。最后，我将给出选择示例的结果，抖动传输。欢迎观看完整文章。

<strong>调制选择，既不是所有杂散都是相等的</strong>

作为一个电源方面的工程师、技术人员，相信大家对 MOSFET 都不会陌生。在电源论坛中，关于MOSFET 的帖子也应有尽有：MOSFET 结构特点/工作原理、MOSFET 驱动技术、MOSFET 选型、MOSFET 损耗计算等，论坛高手、大侠们都发表过各种牛贴，我也不敢在这些方面再多说些什么了。

工程师们要选用某个型号的 MOSFET，首先要看的就是规格书/datasheet，拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时，我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢？

本帖的目的就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点，有什么错误、不当的地方请大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起学习。

PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 datasheet