<strong><font color="#FF0000">作者：Foroohar Foroozan</font> </strong>

想象未来几十年后的世界，您的孙子们可能不知道医院这个词，所有健康信息都是通过传感器远程记录和监测。想象您的家里配备了不同的传感器来测量空气质量、温度、噪声、光照和气压，并且根据您的个人健康信息，系统调整相关环境参数以优化您的家居环境。在实现美好未来的道路上，ADI公司处于一个独特的有利位置，通过提供相互补充的传感器、软件和算法来增加其在数字健康市场的份额。

<strong>一、单片机上拉电阻的选择</strong>

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MCU中的特殊功能寄存器SFR，实际上就是SRAM地址已经确定的SRAM单元，在C语言环境下对其访问归纳起来有3种方法。

<strong>1.对C编译器进行语法扩充</strong>

对C编译器进行语法扩充。例如MCS51系列单片机的C-51语法中扩充了sfr关键字，举例如下：

<center>sfr P0 = 0x80;</center>

这样操作0x80单元直接写P0即可。

<strong><font color="#FF0000">作者：TI 工程师 Vental Mao</font> </strong>

一直以来，设计中的电磁干扰（EMI）问题十分令人头疼，尤其是在汽车领域。为了尽可能的减小电磁干扰，设计人员通常会在设计原理图和绘制布局时，通过降低高di / dt的环路面积以及开关转换速率来减小噪声源。

但是，有时无论布局和原理图的设计多么谨慎，仍然无法将传导EMI降低到所需的水平。这是因为噪声不仅取决于电路寄生参数，还与电流强度有关。另外，开关打开和关闭的动作会产生不连续的电流，这些不连续电流会在输入电容上产生电压纹波，从而增加EMI。

二极管正向压降与二极管整流同样实用，它会随温度的不同而发生很大变化，从而导致损耗增加，使电源出现容许误差。

虽然不可能消除损耗，但可以使用二极管来减少某些应用中的容差错误。本文将通过三个实例来展示如何达成这一目标。

您可以使用一个电阻器和一个齐纳二极管构建一款简单的低电流稳压器。这种稳压器通常适用于非临界应用，如内部偏置电压等。一般来说，电路会将输出电压的容许误差控制在约±10%的范围，但也可能通过串联一个二极管来改进调节功能。

图1显示了在齐纳二极管电路中串联一个二极管，曲线绘制了齐纳二极管的不同电压对应的温度系数。当稳压二极管电压大于4.7V时，温度系数逐渐变为正数，因此当工作温度升高时，齐纳二极管电压随之升高。如果与温度系数为负值的二极管配对，通过降低二极管正向电压，齐纳二极管增加的电压会被抵销，从而消除温度误差。

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关于硬件设计有许多观点，其中更为人们所认可的一条是，越早发现错误越好。然而，在传统的“先设计后验证”流程中，开始纠错之前，错误有充分的时间嵌入设计中。其实不必如此。

我们可以借鉴软件领域的一项技术——测试驱动开发 (TDD) ，通过局部修改设计流程来解决这个问题（图1）。在 TDD 中，你需要在编写代码之前为每个代码单元开发测试工具。

这样的顺序调整听起来似乎没有什么意义。但是越来越多的设计团队发现 TDD 带来了巨大的变化：缩短了设计时间，提高了质量，并使他们能够更好地应对漏洞和功能安全等新问题。

<strong>如何提高高电压输入、低电压输出的电源转换器的效率？</strong>

对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用，有不同的解决方案。一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V。这样的规格不仅在信息技术市场的服务器应用中很常见，在电信应用中同样常见。

<strong><font color="#FF0000">作者：Tim Claycomb</font> </strong>

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<strong><font color="#FF0000">作者：Robert Ostrout </font> </strong>

在机器人的使用方面，我们可能还没有达到使用它来遛狗这种普遍程度，但是机器人确实已经深入我们的日常生活。伴随着Alexa, Siri以及Cortana等这些名字的出现，对我们而言，机器人已经变得触手可及，并且在2018年将会取得更大的进步和应用。

<strong>基本名词</strong>

常见的基本拓扑结构

■Buck降压
■Boost升压
■Buck-Boost降压-升压
■Flyback反激
■Forward正激
■Two-Transistor Forward双晶体管正激
■Push-Pull推挽
■Half Bridge半桥
■Full Bridge全桥
■SEPIC
■C’uk

1、基本的脉冲宽度调制波形

这些拓扑结构都与开关式电路有关。

基本的脉冲宽度调制波形定义如下：

自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）首选的晶体管技术。当用作门控整流器时，MOSFET是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。

对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的缩写。对工程师来说，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。

<strong><font color="#FF0000">作者：Tony Armstrong</font> </strong>

<strong>背景知识</strong>

ADAS是高级驾驶员辅助系统的英文缩写，它在当今许多新型汽车和卡车中很常见。此类系统通常有助于安全驾驶；当检测到周围物体（例如不遵守交通规则的行人、骑车人，甚至有其他车辆位于不安全的行驶轨迹上）构成风险时，系统可以向驾驶员提供警报！此外，这些系统通常提供自适应巡航控制、盲点检测、车道偏离警告、驾驶员困倦监控、自动制动、牵引控制和夜视等动态特性。因此，消费者对安全性日益增强的重视、对驾驶舒适性的要求以及政府安全法规的不断增加，是未来十年后半时期汽车ADAS的主要增长动力。

<strong><font color="#FF0000">作者：Hao Wang 深圳模拟工程师</font> </strong>

<strong>PSRR是什么</strong>

PSRR（Power supply rejection ratio）又称电源抑制比，是衡量电路对于输入电源中纹波抑制大小的重要参数，表示为输出纹波和输入纹波的对数比，单位为分贝（dB）[1]，其计算公式为:

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物联网发展最初的技术成熟度曲线只是基于已部署和潜在传感器的数量增加。如今，我们可以展望未来，探讨一些重要的成功因素。物联网的未来趋势包括物联网应用，会给最终客户带来经济效益。还有一个趋势是电池使用寿命更长，能持续数年。

<strong>1、基本概念和公式</strong>

首先要讲到电容的基本公式：

电容器上所储存的电荷与施加于电容器上的电压成正比，<strong>有：</strong>

q=Cv

C为比例常数，称为电容器的电容（capacitance）,单位法拉（farad,F）,电荷运动产生电流，用数学表示为i=dq/dt 电流的单位为安培。

<strong>对q=Cv两边取微分得：</strong>

i=Cdv/dt

<strong>根据对偶原理得：</strong>

v=Ldi/dt

对于给定的时间增量或减量（v,i为常量，对于恒定的全部更改为大写的V,I）

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<strong>四、傅里叶变换（Fourier Transformation）</strong>

相信通过前面三章，大家对频域以及傅里叶级数都有了一个全新的认识。但是文章在一开始关于钢琴琴谱的例子我曾说过，这个栗子是一个公式错误，但是概念典型的例子。所谓的公式错误在哪里呢？

傅里叶级数的本质是将一个周期的信号分解成无限多分开的（离散的）正弦波，但是宇宙似乎并不是周期的。曾经在学数字信号处理的时候写过一首打油诗：

往昔连续非周期，

回忆周期不连续，

任你ZT、DFT，

还原不回去。

（请无视我渣一样的文学水平……）