本视频将向大家讲解浪涌保护器能做什么？如何工作？它可以预防哪些灾难呢？

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<strong>一：综述</strong>

STM32 目前支持的中断共为 84 个（16 个内核+68 个外部）， 16 级可编程中断优先级 的设置（仅使用中断优先级设置 8bit 中的高 4 位）和16个抢占优先级（因为抢占优先级最多可以有四位数）。

<strong>二：优先级判断</strong>

STM32（Cortex-M3）中有两个优先级的概念——抢占式优先级和响应优先级，有人把响应优先级称作‘亚优先级’或‘副优先级’，每个中断源都需要被指定这两种优先级。

具有高抢占式优先级的中断可以在具有低抢占式优先级的中断处理过程中被响应，即中断嵌套，或者说高抢占式优先级的中断可以嵌套低抢占式优先级的中断。

<strong>认识特性阻抗</strong>

人认识事物总是有一个过程，一般都是从具体到抽象。认识特性阻抗也是一样的，在我们认识特性阻抗之前，先认识跟特性阻抗比较相关的一个物理量—电阻。

电阻是一个实实在在的物理元器件，通过欧姆定律我们可以知道，电压、电流和电阻三者之间的关系，U=I*R

我们通过一个具体的电路来分析这三者之间的具体关系，请看下面的一张最简单的电路图。这个电路图只有一个电源一个电阻和一些导线组成。

在评估纹波时，通常围绕纹波电压和纹波电流这两个组成部分来进行。在大多数应用中，纹波是工程师要最大限度抑制的一种电路状态。例如，在将交流电源转换成稳定直流输出的AC-DC转换器中，要竭力避免AC电源会以一种小幅、根据频率的变化信号叠加在DC输出之上的一种现象。然而，在其它情况下，波纹可以是种必要的设计功能，例如，时钟信号或数字信号就可利用电压电平的变化来切换器件的状态。

在后一种情况，对波纹的考量可以说相当简单：不要让峰值电压超过电容的额定电压。然而，重要的是要牢记：峰值电压是最高纹波电压与电路中直流偏置电压之和。另外，对采用钽、铝和铌氧化物技术的电解电容来说，还有另一个需特别注意的地方：不要让纹波电压的最小值掉到零电位以下，因为这将导致电容工作在反向偏压条件。这一要求也适用于低频应用的II类陶瓷电容。

时间交错技术可使用多个相同的 ADC（文中虽然仅讨论了 ADC，但所有原理同样适用于 DAC 的时间交错特性），并以比每一个单独数据转换器工作采样速率更高的速率来处理常规采样数据序列。简单说来，时间交错（IL）由时间多路复用 M 个相同的 ADC 并联阵列组成。

如图 1 所示。这样可以得到更高的净采样速率 fs（采样周期 Ts = 1/fs），哪怕阵列中的每一个 ADC 实际上以较低的速率进行采样（和转换），即 fs/M。因此，举例而言，通过交错四个 10 位/100 MSPS ADC，理论上可以实现 10 位/400 MSPS ADC。

想写博客已经很久了，但由于项目时间紧，一直没有抽出时间来。不过这些都是借口，主要还是自己太懒。好了不多说了，因为这些天的项目中一直在用串口，所以就从串口开始写起。

<strong>首先总结一下串口232,422,485</strong>

串口232：可双向传输，全双工，最大速率20Kbps,负逻辑电平，-15V~-3V逻辑“1”，+3V~+15V逻辑“0”。

串口422：可双向传输，4线全双工，2线单工。

串口485：可双向传输，4线全双工，2线单工，最大速率10Mb/s,差分信号，发送端：+2V~+6V逻辑“1”，-2V~-6V逻辑“0”，接收端：+200mV逻辑“1”，-200mV逻辑“0”。

<strong>对于串口的实现有以两个方案：</strong>

功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻，RDown为驱动电路的下拉电阻，关断时栅极总的等效串联栅极电阻RGoff=RDown+RG1+RG2。

随着射频元器件和子系统以及高密度数字信号处理电子器件的快速发展，多输入多输出（MIMO）技术正引起广泛关注，因为该技术可通过多路复用来提高数据速率，或通过空间分集使系统性能至少提高一个数量级。鉴于相控阵雷达、波束赋形和测向系统等各种电子战和雷达应用正在广泛采用MIMO系统，而应用此类MIMO系统必须克服与信道间相位和幅度同步等相关的关键技术难题，才能一致地接收和处理每个输入/输出采集或生成的数据。因此，德州奥斯汀NI总部的两位技术大神Shivansh Chaudhary以及Eddie Rodriguez试图通过本文告诉你应对多通道相位相干系统测试挑战应该往哪些方向使劲

在实践中，大多数直流电机都不仅仅是两个简单版本电枢极的组合。除了其他好处外，更多的极点可使电机从任何旋转角度更可靠地启动（简单版本有两个小的死区）。而且，这样的电机不允许瞬态短路电流通过，有些系统每转允许有两次短暂的短路电流通过，但是很多系统都不能做到这一点。

定子的励磁线圈有多种配置，如图4所示。最常见的配置是串联绕组，分流绕组和复合绕组（串联和分流的组合）。在串联绕组式电动机中，励磁线圈与电枢线圈（通过电刷）串联; 在分流绕组式电动机中，励磁线圈与电枢线圈并联（“分流”是用于“并联”的另一种表述方式）。

<strong>首先来说说退偶电容的布局布线</strong>

下图中a-e都不对？什么原因？

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<strong>如上图，这种位置的电容，一般有两个作用。</strong>

<strong>带您迈向成功之道</strong>

您是否曾经突发灵感想要开发一款新技术产品，但赫然发现仅仅是将嵌入式设计构想转化为工作原型就要面临无穷无尽的选择而感到举步维艰？或者您有一个原型设计，但希望对其进行优化以实现量产？再或者，您有一个工程师团队正在负责对现有产品添加些新功能，而您希望优化资源并将风险降到最低。无论您面临怎样的设计挑战，轻松设计都可以帮助您提高成功率。

<strong>什么是轻松设计</strong>

<strong>背景</strong>

最近有一个项目用到了STM32F103RB系列单片机，由于引脚数量较少，不得不使用到了单片机的PB3和PB4两个引脚。而这两个引脚刚好又是STM32系列的JTAG调试引脚，如果要用于普通IO的功能需要先进行一定的设置。

<strong>1. STM32的调试方式选择</strong>

STM32支持JTAG和SWD两种调试方式，且默认状态下这两种调试功能都是开启的。

在物联网(IoT)的推动下，业界对各种电池供电设备产生了巨大需求。这反过来又使业界对微控制器和其他系统级器件的能源效率要求不断提高。因此，超低功耗(ULP)已成为一个过度使用的营销术语，特别是用于描述微控制器时。作为理解ULP背后真正意义的第一步，应考虑其各种含义。在某些情况下，当电源严重受限时（例如能量收集），应用要求最低工作电流。或者，当系统大部分时间处于待机或睡眠模式，不常醒来（定期或异步）处理任务时，应用要求最低睡眠模式电流。此外，ULP也意味着能源效率，大多数工作是在有限时间内进行的。总体而言，电池供电设备基于一组权衡考虑，综合使用这些要求。

做嵌入式系统开发，经常要接触硬件，需要对数字电路和模拟电路要有一定的了解，这样才能深入的研究下去。下面我们简单地介绍一下嵌入式开发中的一些硬件相关的概念。

<strong>电平（Level）</strong>

在数字电路中，分为高电平和低电平，分别用1和0表示。一个数字电路的管脚，总是存在一个电平的，要么高要么低，或者说要么1要到0（其实，还有另一种状态，后面会提到）。

<strong>总线（Bus）</strong>

本视频将介绍PIC24FJ256GB412系列低功耗加密单片机的详细信息，还将展示IoT演示的加密和解密功能。

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<strong>输入部分损耗</strong>

<strong>1、脉冲电流造成的共模电感T的内阻损耗加大</strong>
适当设计共模电感，包括线径和匝数

<strong>2、放电电阻上的损耗</strong>
在符合安规的前提下加大放电电阻的组织

<strong>3、热敏电阻上的损耗</strong>
在符合其他指标的前提下减小热敏电阻的阻值

<strong>摘要</strong>

模拟带宽的重要性高于其他一切在越来越多的应用中得到体现。随着GSPS或RF ADC的出现，奈奎斯特域在短短几年内增长了10倍，达到多GHz范围。这帮助上述应用进一步拓宽了视野，但为了达到X波段（12 GHz频率），仍然需要更多带宽。在信号链中运用采样保持放大器 (THA)，可以从根本上扩展带宽，使其远远超出ADC采样带宽，满足苛刻高带宽的应用的需求。本文将证明，针对RF市场开发的最新转换器前增加一个THA，便可实现超过10 GHz带宽。

<strong>简介</strong>

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放（ESD）对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。
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在PCB板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中，通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。以下是一些常见的防范措施。
　　

搭了个H桥电路，控制电机的正反转和PWM调速，程序是网上的，改改引脚就能用，电路和源程序如下：

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<strong>功能：P1.1按键停止，P1.2左转，P1.3右转，P1.0调速</strong>

前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率MOSFET在开关过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。

功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻，RG=RUp+RG1+RG2为G极串联的总驱动电阻。