SiC MOSFET

本文介绍了Force-I QSCV技术， 解释了如何在Clarius软件中使用这些测试，将该技术与其他方法进行了比较，验证了 Force-I QSCV 在测量速度、稳定性、精度及设备需求方面的显著优势。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的可靠性设计。

本章节主要介绍三菱电机车规级SiC MOSFET产品，包括模块及芯片。

本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。

三相四桥臂变换器具有最强的抑制三相电压不平衡能力和灵活的单相供电能力。通常使用三次谐波注入的载波调制方法来提高直流电压利用率以及方便的解耦三相控制

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍超小型全SiC DIPIPM。

传统分立式SiC MOSFET与散热器的隔离依赖于外部导热电绝缘材料。这不仅增加了结对散热片的热阻，还使热管理复杂化，并在自动和手动装配过程中造成障碍。

应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升

Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题