SiC

基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器和牵引电机逆变器）。为了充分利用新型功率转换技术，必须在转换器设计中实施完整的IC生态系统，从最近的芯片到功率开关和栅极驱动器。

隔离式栅极驱动器的要求已经开始变化，不同于以前的硅IGBT驱动器。对于SiC和GaN MOSFET，需要高CMTI >100 kV/μs、宽栅极电压摆幅、快速上升/下降时间和超低传播延迟。ADI的ADuM4135隔离式栅极驱动器具备所有必要的技术特性，采用16引脚宽体SOIC封装。配合ADSP-CM419F高端混合信号控制处理器，它们可以对基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器的高速复杂多层控制环路进行管理。

<strong>1、SiC材料的物性和特征</strong>

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多种晶型，它们的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合适用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能够热氧化形成SiO2的化合物半导体，所以适合制备MOS型功率器件。

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<strong>2、功率器件的特征</strong>

了解我们的隔离、控制、检测和通信技术如何直接通过部署WBG（宽带隙）功率转换及日益复杂的多级控制拓扑来解决面临的挑战。

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